青岛MTDC750晶闸管智能模块价格

    调试告结束。13、注意事项，请取下控制板，否则可能造成控制板长久性损坏。，恕不另行通知。，本公司概不负责。MPU器件是一种CMOS器件，使用时应注意，器件的两个引脚之间严禁短路，否则将损坏芯片，为保护器件的安全，因此忌用万用表直接测量器件的引脚。，控制板上有高压电，请注意，以免触电。14.问题讨论控制电路上已经把过压保护电平固定在额定输出电压的，当进行定额电压整定时，过压保护就自动整定好了。若觉得，可改变控制板上的R28电阻值，减小R28，过压保护电平增高；反之减小。控制电路上已经把过流保护电平固定在额定直流电流的，当进行额定电流的整定时，过流保护就自动设定好。若觉得，增大R27，过流保护电平增高，反之减小。当，可在系统运行于重负荷下，逆时针调节控制板上的W1电流反馈微调电位器，使直流表达到额定值。这与一般的中频电源的电源整定是一样的。一定要使它激频率高于槽路可能的比较大谐振频率，否则，系统由于它激频率的“拽着”而不能正常运行。它激频率高于槽路可能的比较大谐振频率。对熔炼负载来说，恒功率输出是很重要的，要想使恒功率的范围大，就要使逆变引前角从**小变到比较大的范围尽可能的大，同时负载阻抗的匹配也很重要。正高电气公司狠抓产品质量的提高，逐年立项对制造、检测、试验装置进行技术改造。青岛MTDC750晶闸管智能模块价格

    晶闸管是晶体闸流管的简称，原名可控硅整流器（SCR），简称可控硅，其派生器件有双向晶闸管和可关断晶闸管。晶闸管的出现，使半导体器件从弱电领域进入强电领域。主要应用于整流、逆变、调压、开关等方面，应用**多在晶闸管可控整流。1.单向晶闸管具有3个PN结的四层结构的器件，引出的电极分别为阳极A、阴极K和控制极G。右边为其等效电路。通断转换条件：主要参数1）额定正向平均电流。在规定环境温度和散热条件下，允许通过阳极和阴极之间的电流平均值。2）维持电流。在规定环境温度、控制极断开的条件下，保持晶闸管处于导通状态所需要的**小正向电流。3）门极触发电压。在规定环境温度及一定正向电压条件下，使晶闸管从阻断到导通，控制极所需的**小电压，一般为1~5V。4）门极触发电流。在规定环境温度即一定正向电压条件下，使晶闸管从阻断到导通，控制极所需的**小电流，一般为几十到几百毫安。5）正向重复峰值电压。在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向重复峰值电压。6）正向重复峰值电流。在控制极断路时，可以重复加在晶闸管上的反向峰值电压。山东MTDC500晶闸管智能模块报价正高电气始终以适应和促进工业发展为宗旨。

    这里的电压差定义为：晶闸管调功器的另外一种接法是三角形连接：晶闸管电阻丝串联角接两种方法的控制方式没有区别，不再赘述。电阻星形接法与三角形接法有什么不同假设有三个电阻丝R1，R2，R3，电阻丝的阻值相等，供电电源为220V对称三相电源，把三个电阻丝分别接成星形和三角形两种接法，如果供电电源发出的电流相等，那么，电阻丝的阻值如何选择？电阻丝星接上图中，三个阻值相同的阻抗连接成星形结构，它们构成了对称三相负载，对于A相电路来说，电阻R流过的电流为：而对于采用三角形连接的电阻，如下图所示：电阻丝角接线电流Ia等于流经电阻R的电流Iab与流经电阻R的Iac的和，当三相对称电源分别接星形接法的对称电阻网络与三角形接法的对称电阻网络，产生相同的相电流，对应的星形网络和三角形网络的电阻值之间的关系：可见，对于三相对称电源，获得相同的相电流情况下，如果定义星接网络电阻值为R，则角接网络电阻值为3R。而如果把电阻值为R的星接网络改成三角形连接网络，则三角形网络的等效星形网络电阻为R/3。注意，这里把同样的电阻，由星接改成角接，得到的结果是把角接等效为星接后，电阻值缩小了三分之一。电阻结构变化对功率的影响在三相电路中。

    晶闸管调光电路主电路部分由二极管V5、V6和晶闸管V8、V9构成单相半控桥式整流电路，其输出的直流可调电压作为灯泡EL的电源。改变V8、V9控制极脉冲电压的相位，即改变V8、V9控制角的大小，便可以改变输出直流电压的大小，进而改变灯泡EL的亮度。控制电路由单结晶体管触发电路构成，其作用是为V8、V9的控制极提供触发脉冲电压。调节电位器RP的大小可改变触发脉冲的相位。脉冲形成是梯形同步电压，经RP、R3对C充电，C两端电压上升到单结晶体管峰点电压Up时，单结晶体管由截止变为导通，由电容C通过e—b，、R5放电。放电电流在电阻R5上产生一组尖顶脉冲电压，由R5输出一组触发脉冲，其中个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管的工作没有影响。随着C的放电，当电容两端电压下降至单结晶体管谷点电压Uv时，单结晶体管重新截止；电容C重新充电，重复上述过程，R5上又输出一组尖顶脉冲电压，这个过程反复进行。当梯形电压过零点时，电容C两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点，就是电源电压过零点，这样就保证输出脉冲电压频率和电源频率同步。三、工具与测量仪表及电路元件明细表电路元件明细表晶闸管调光电路的元件明细表如表12—1所示。四、安装与调试。正高电气以质量求生存，以信誉求发展！

晶闸管模块常用的保护措施

① 过电流保护

过流保护一般都推荐外接快速熔断器的方法，可将快速熔断器串联于模块的交流输入端即可，三相模块三只，单相模块一只。熔断器额定电压要大于电路工作电压，额定电流一般取负载电流的百分之七十到八十。但快速熔断器对于短路引起的过流保护效果很好，对于一般性的过流并不能起到很好的保护效果，因为两倍于快速熔断器额定值的电流在几秒内才能熔断。如果要取得较好的保护效果，除采用快速熔断器外可采用带过流保护功能的模块或具有过流保护功能的控制板。

②过电压保护

模块的过压保护，推荐使用阻容吸收和压敏电阻两种方式。

阻容吸收回路能有效晶闸管由导通到截止时产生的过电压，有效避免晶闸管被击穿。阻容吸收并联在模块每一只晶闸管芯片上即可，反并联芯片可共用一组。 正高电气有着质量的服务质量和极高的信用等级。青岛MTDC750晶闸管智能模块价格

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    晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的比较低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络。青岛MTDC750晶闸管智能模块价格

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